트랜지스터의 온도 계수를 고려한 커패시터리스디램의 설계 최적화

초록

본 논문에서는 차세대 메모리 기술로 주목받고 있는 커패시터리스 디램(one-transistor DRAM, 1T-DRAM)을 소자의 설계 최적화에 대해 다룬다. 기존 커패시터기반 DRAM의 한계를 해결하고자, 비대칭 듀얼 게이트 구조를 사용하여 보유 시간 및 성능을 향상시키는 방향성을 제시한다. ZTC(Zero-temperature coefficient) 지점을 1.25 V로 설정하여 온도 변화에 따른 성능 저하를 최소화하였다. 다양한 온도(300K~400K)에서 전류-전압 특성을 분석하여, ZTC 지점에서의 메모리 특성이 온도에 안정적으로 동작하는것을 확인하였으며, 고온에서도 신뢰성 있는 동작을 보장하는 설계가 가능함을 입증하였다. 이를 통해 1T-DRAM 소자는 높은 신뢰성과 고효율을 갖춘 메모리 기술로서, 차세대 메모리 소자 개발에 중요한 기여를 할 수 있다.

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